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          hyper-na euv 文章
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          4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設備
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 目前，生產(chǎn)尖端半導體必不可少的EUV（極紫外）光刻設備由荷蘭ASML獨家供應，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設備，而是轉向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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          • 關鍵字：
                        臺積電  ASML  High-NA  EUV  2nm                          
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          ASML警告中國銷量下降或加劇26年增長擔憂
          
                                                            
            
                    	
          • 荷蘭半導體設備巨頭、芯片制造光刻機的主要供應商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發(fā)布了 2025 年第三季度財報。結果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強勁，但也對 2026 年對中國的銷售額將大幅下降發(fā)出了嚴厲警告。雖然該公司試圖向投資者保證整體增長將保持穩(wěn)定，但這一消息凸顯了芯片行業(yè)不斷升級的地緣政治緊張局勢。以下是主要亮點的細分。財務業(yè)績ASML 公布了穩(wěn)健的第三季度業(yè)績，盡管凈利潤持平，但預訂量超出預期：凈銷售額：77 億歐元，同比增長 8%，但略低于分析師預
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          • 關鍵字：
                        ASML  EUV  芯片工具                          
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          三星購買了兩款ASML高數(shù)值孔值EUV工具
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，據(jù)報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數(shù)值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購。報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經(jīng)訂購了生產(chǎn)級高NA EUV系統(tǒng)。據(jù)報道援引消息人士
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          • 關鍵字：
                        三星  ASML  高數(shù)值孔值  EUV                          
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          ASML警告明年來自中國的需求可能大幅下滑
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 荷蘭半導體設備制造商ASML第三季訂單表現(xiàn)優(yōu)于分析師預期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業(yè)大規(guī)模投資AI領域、對芯片制造設備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASML發(fā)布了2025年第三季度財報，財報顯示第三季度實現(xiàn)凈銷售額75億歐元，凈利潤21億歐元，毛利率為51.6%，整體表現(xiàn)符合此前預期。更值得關注的是，本季度新增訂單金額達到54億歐元，其中EUV（極紫外光刻）訂單高達36億歐元，占比超過三分之二，充分反映出全球半導體制造商對先進制程光刻設備的
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          • 關鍵字：
                        ASML  財報  EUV                          
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          臺積電加速自研EUV光罩保護膜，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 據(jù)Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機。2019年首次于華為麒麟9000處理器導入EUV后，臺積電持續(xù)控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經(jīng)過多年的積累，臺積電目前已經(jīng)累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進制程擴產(chǎn)需要。自2019年以來，臺積電通過自身的系統(tǒng)級優(yōu)化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光
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          • 關鍵字：
                        臺積電  EUV  晶圓  Pellicle  光罩保護膜                          
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          三星據(jù)報道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) The Elec 報道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P重要的組件。報道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時候，三星據(jù)報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術的
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          • 關鍵字：
                        EUV  光刻機  掩膜  三星                          
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          High-NA不是通往2納米時代的唯一道路
          
                                                            
            
                    	
          • 半導體行業(yè)正在重新評估其制造最先進芯片的長期路線圖。高數(shù)字光圈(High-NA)光刻技術,曾被視為2 nm以下節(jié)點小型化的明確路徑,現(xiàn)在正在與其他選項進行權衡。
	
	
	
		

	
	

	
	盡管在光學領域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑戰(zhàn)和巨大的資本投資刺激了互補模式技術的平行發(fā)展。事實上,這些技術作為競爭和實用的替代品正在獲得牽引力。這不是對光學進步的拒絕。這是一個多方面工具包的務實擁抱,其中材料科學,物理學和創(chuàng)新過程的進步融合在一起,以克服強大的障礙。High-N
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          • 關鍵字：
                        High-NA  2納米                          
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          臺積電重新利用舊晶圓廠，將 EUV 薄膜生產(chǎn)引入內(nèi)部
          
                                                            
            
                    	
          • 臺積電正在重新利用其位于新竹科學園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產(chǎn)極紫外薄膜，并將這種生產(chǎn)引入內(nèi)部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產(chǎn)薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環(huán)境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統(tǒng)使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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          • 關鍵字：
                        臺積電  舊晶圓廠  EUV  薄膜生產(chǎn)                          
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          ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業(yè)界首個“商用”High NA EUV 系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現(xiàn) 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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          • 關鍵字：
                        EUV  光刻機  ASML  海力士                          
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          SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產(chǎn)型High-NA EUV設備。相比現(xiàn)有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發(fā)展。SK海力士自
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  High-NA  EUV設備                          
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          美國、日本領導政府支持的光刻機(EUV)推廣，韓國據(jù)報道落后
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用報告援引行業(yè)消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區(qū)完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業(yè)提供服務。報告還指出，據(jù)稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——
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          • 關鍵字：
                        EUV  光刻機                          
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          半導體巨頭對high-NA EUV態(tài)度分化
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)外媒報道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭議的觀點：未來晶體管設計，例如GAAFET和CFET架構，可能會降低芯片制造對先進光刻設備的依賴，尤其是對EUV光刻機的需求。這一觀點無疑對當前芯片制造技術的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機在先進制程中扮演關鍵角色，通過曝光步驟將電路設計轉印至晶圓，隨后通過沉積和蝕刻工藝形成晶體管結構。然而，該英特爾高層認為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結構的發(fā)展，芯片制造將更依賴蝕刻技術，而非單純
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          • 關鍵字：
                        半導體  high-NA EUV                          
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          ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發(fā)分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現(xiàn)類似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發(fā)數(shù)值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統(tǒng)。數(shù)值孔徑是衡量光學系統(tǒng)聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長
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          • 關鍵字：
                        ASML  5納米  Hyper NA  光刻機                          
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          臺積電重申1.4nm級工藝技術不需要高數(shù)值孔徑EUV
          
                                                            
            
                    	
          • 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節(jié)點采用 High-NA EUV 工具。“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯(lián)席首席運營官兼業(yè)務發(fā)展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說?！懊慨斘覀兛吹?High-NA 將提供有意義、可衡
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          • 關鍵字：
                        臺積電  1.4nm  高數(shù)值孔徑  EUV                          
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          臺積電保持觀望 ASML最新EUV機臺只賣了5臺
          
                                                            
            
                    	
          • 荷蘭阿斯麥（ASML）全新機臺卻讓臺積電望之卻步！ 英媒指出，盡管阿斯麥最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影設備性能強大，但因這款機臺單價高達4億美元，臺積電高層表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暫時沒有計畫在A14及其后續(xù)制程中導入。路透27日報導，這款先進機臺價格逼近4億美元，幾乎是晶圓廠現(xiàn)有最昂貴設備的兩倍。 目前，各家芯片制造商正在仔細評估，這款設備在曝光速度以及分辨率上面的提升，是否真的符合如此高昂的價格。臺積電技術開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示，即便不使用High-N
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                        臺積電  ASML  EUV  機臺                          
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